삼성전자와 하이닉스반도체가 올해부터 60나노 공정을 도입한 D램 양산에 들어갈 계획인 것으로 확인됐다.
삼성전자와 하이닉스반도체는 현재 80, 90나노 공정으로 D램을 생산하고 있으며,
60나노로 공정이 좀 더 미세화되면 기존 80나노에 비해 생산량을 50% 가까이 향상
시킬 수 있다.
작년 9월 50나노 D램 제조 기술 개발에 성공한 삼성전자는 이르면 올 3월 60나
노 공정을 통한 D램 양산에 들어간다는 계획이다.
삼성전자는 작년 3월에는 세계 최초로 80나노 D램 양산을 시작해 90나노 공정
대비 생산성을 50% 향상시킨 효과를 거둔 바 있다.
하이닉스반도체도 상반기 중 60나노 D램 양산을 시작할 계획이다.
하이닉스반도체 관계자는 "2월 중 첫 웨이퍼를 투입해 이르면 5월부터는 60나노
공정을 통한 D램의 본격 양산을 시작할 계획"이라고 말했다.
이에 따라 올해에도 삼성전자와 하이닉스반도체 등 한국 기업들이 메모리 반도
체 시장에서 주도권을 강화해 나갈 수 있을 것으로 기대된다.
미국이나 일본 등 D램 제조업체들은 여전히 90나노 공정이 주류를 이루고 있고
우리 나라 기업들이 작년 양산에 들어간 80나노 D램 양산에도 고전하고 있기 때문
이다.
낸드플래시의 경우에도 삼성전자는 이미 40나노 기술 개발을 끝내놓고 올해 1분
기 중 50나노 공정이 적용된 제품을 양산할 계획이다.
하이닉스반도체도 올해 60나노급의 기술 개발을 끝내고 양산체제를 구축하는 한
편 50나노 공정 개발도 완료할 예정이다.
한편, 하이닉스반도체 우의제 사장은 3일 발표한 신년사에서 "작년 80나노에 이
어 올해에는 60나노급의 신속한 양산 체제를 구축하고, 50나노의 성공적인 개발로
경쟁 우위를 확대해야 한다"며 기술 개발의 중요성을 역설한 바 있다.
(서울=연합뉴스) 윤종석 기자
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