페어차일드 반도체의 N-P 40V, MOSFET LCD 설계에 있어 신뢰성, 비용 및 사이즈 개선 구현

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페어차일드 반도체의 N-P 40V, MOSFET LCD 설계에 있어 신뢰성, 비용 및 사이즈 개선 구현

뉴스와이어 desk@newswire.co.kr
등록 2007.05.15 08:37:00

페어차일드 반도체 (NYSE: FCS)는 업계 선도적인 열 방출 (thermal dissipation)로 N-P Dual DPAK 패키징의 40V MOSFET 제품인 FDD8424H를 출시해, 시스템 신뢰성을 증가시키고, 보드 공간을 축소시키며 전체 시스템 비용을 절감시켰다. 하프 또는 풀 브리지 인버터 설계에 최적화된 FDD8424H는 LCD TV, LCD 모니터, 모터 드라이브 및 램프 드라이브를 위한 백라이트 유닛 (BLU)에서 사용하기에 이상적이다.

다른 패키징의 대안적 솔루션과 비교되는 듀얼 DPAK의 FDD8424H는 SO8보다 5배 더 낮은 열 저항을 제공하며 듀얼 SO8 솔루션보다 10배 더 낮은 열 저항을 제공한다. 또한, P채널 하이사이드 MOSFET과 N채널 로우사이드 MOSFET이 하나의 패키지에 통합되어 디바이스 내에서 공통적인 드레인 접속을 가능하게 하며, 보드 레이아웃을 간단히 해주면서 설계시간을 단축시켜 준다.

페어차일드의 통신 및 소비 제품 사업부 마이크 스피드 (Mike Speed) 마케팅 매니저는 “페어차일드의 FDD8424H는 인버터 설계에서 풋프린트와 열 저항을 최적화할 수 있는 성능을 디스플레이 설계자들에게 제공한다”면서 “듀얼 DPAK에서 RDS(ON) 와 게이트 충전 (Qg)의 결합은 다른 전통적인 SO8 솔루션 대비 최적의 스위칭 성능을 제공해, 그 결과 더 낮은 열 소비 및 향상된 효율을 제공한다.

또한, FDD8424H는 백라이트 인버터에서 12% 더 낮은 표면 온도 (case temperature)를 제공하면서 8개의 CCFL 램프를 구동시킨다”라고 말했다.

FDD8424H의 핵심 기능들은 다음과 같다:

- RDS(ON) 과 게이트 충전 (Qg)의 결합은 뛰어난 스위칭 성능을 제공한다
- 최고의 열 저항은 N-채널의 경우 4.1C/W이며, P-채널의 경우 3.5 C/W이다.
- 하나의 패키지에서 하프 브리지 솔루션은 디바이스 풋프린트와 전체 시스템 비용을 감소시킨다.
- P채널 및 N 채널 MOSFET은 공통적인 드레인 접속으로 통합되어 레이아웃을 단순화시킨다.

이 제품은 무연 디바이스로 공동의 IPC/JEDEC 표준 J-STD-020C의 요구를 충족 또는 상회하며 현재 시행되고 있는 유럽 연합 규정들을 준수한다.

페어차일드 반도체의 새로운 40V MOSFET 보완제품은 LCD 설계를 위해 크기, 비용, 신뢰성 향상을 실현시킨다.