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삼성전자가 낸드플래시와 노어플래시의 장점을 모두 갖춘 원낸드에 이어 '제2의 퓨전 메모리'인 512메가비트 원D램(One D램)도 개발했다.

삼성전자 반도체총괄 황창규 사장은 11일(현지시간) 미국 샌프란시스코 힐튼호텔에서 개막한 IEEE(국제전기전자공학회) 산하 IEDM(국제전자소자학회)에서 원D램 개발에 성공했다고 발표했다.

원D램은 모바일 D램과 S램 두 종류의 데이터 전송 메모리를 하나의 D램으로 대체한 퓨전 메모리로, 두 개의 CPU가 각각 전용하던 D램을 하나로 통합하고 CPU간 데이터를 공유하면서 데이터의 양을 가변적으로 조절할 수 있는 기능(Shared Bank)을 추가해 CPU간 데이터 처리속도를 최대한 단축한 것이 특징이다.

삼성전자는 원D램으로 기존 대비 5배의 CPU간 고속 데이터 전송 실현, 칩 개수 최소화로 시스템 구성원가 절감, 회로 면적 50% 및 전력 소비 30% 감소 등 획기적인 성능 개선이 가능하게 됐다고 설명했다.

삼성전자는 현재까지 이 제품의 공정을 개발하고 샘플을 확보했으며, 내년 2분기 양산에 적용한 뒤 3분기부터 공급할 계획이다.

삼성전자는 원D램이 내년 하반기부터 휴대폰에 본격적으로 탑재되면서 1기가 원D램 양산으로 사업이 본궤도에 오르는 2008년 2억달러를 시작으로 내년부터 2011년까지 5년간 총 25억달러 가량의 신시장을 형성할 것으로 내다봤다.

황 사장은 IEDM 기조연설에서 "FT(퓨전 테크놀로지) 시대가 본격 도래하는 머지 않은 미래에는 전세계 65억명 인류가 타깃 시장이 될 것"이라며 "이의 실현을 위해 전세계 반도체 업체가 개발에 도전하고 있는 신개념 반도체 제품 구현에 퓨전 반도체 기술, 3D 트랜지스터 기술, CTF(Charge Trap Flash) 기술 등이 토대가 될 것"이라고 말했다.

한편 황 사장은 12일(현지시간) 학회 회원 등 3천여명이 참석한 가운데 IEEE 이사회가 수여하는 반도체 기술분야 세계 최고 권위의 '2006 IEEE 앤디 그로브상'을 수상했다.

황 사장은 차세대 혁신 메모리 제품 개발 성공, 메모리 신성장론 제시 및 7년 연속 입증 등의 공로를 인정받아 인텔 등의 추천을 통해 이 상을 수상했다. '앤드 그로브상' 수상자 7명 가운데 동양계 기업인은 그가 처음이다.

황 사장은 "이 상의 의미를 과거 한 일에 대한 치하라기보다 미래의 '메가 트렌드'에 새롭게 '챌린지'하라는 채찍으로 이해한다"며 "앞으로도 세계 반도체 산업 발전을 위해 온 몸을 던질 것을 다시 한번 다짐한다"고 수상 소감을 밝혔다.

(샌프란시스코=연합뉴스) 김인철 기자
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