[대용량 PC용 D램과 그래픽 D램, 모바일 D램 등에 확대 적용]

하이닉스반도체(대표 우의제)는 세계 최초로 60나노급 1Gb DDR2 D램을 사용해 800MHz 세계 최고속 메모리 모듈을 개발했다고 17일 밝혔다.

하이닉스는 이번에 개발된 제품을 내년 상반기부터 대량 생산될 예정이다. 특히 최고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 PC용 D램과 그래픽 D램, 모바일 D램 등에 확대 적용함으로써 제품 경쟁력을 대폭 강화키로 했다.

하이닉스는 지난 10월 모듈의 기반이 되는 60나노급 D램 제품에 대해 업계 최초로 인텔 인증을 받았다. 특히 60나노급 DDR2 모듈에 대해서도 업계 최초로 인텔의 인증과정인 AVL(Advanced Validation Lab)의 테스트를 이미 통과했으며, 최종 인증 결과는 내년 초에 공식 발표된다.

이로써 하이닉스는 최첨단 반도체 제조 기술과 미세회로 공정 기술에 대한 앞선 기술력을 대내외적으로 다시 한번 입증하게 됐다.

1GB DDR2 모듈은 업계 최고속인 800MHz와 667MHz의 동작속도를 구현할 수 있는 제품 두 종으로, 초고속 데이터 전송이 가능하다. 특히 기존 80나노에 비해 생산성을 50%나 높일 수 있어 원가경쟁력을 대폭 향상시켰다.

또한 '3차원 입체 트랜지스터'와 '3층 금속 배선 기술'이 적용돼 저장능력과 속도를 높인 것이 특징이다.

'3차원 입체 트랜지스터'는 트랜지스터의 동작을 보다 안정적으로 만들기 위해 입체적으로 설계함으로써 누설 전류를 줄여 데이터 저장능력을 향상시키는 기술이다.

'3층 금속 배선 기술'은 칩의 금속 배선층을 기존보다 한 층 더 늘려 3층으로 만들어 속도를 향상시키는 기술이다.

한편, 하이닉스는 향후 서버용 고용량 모듈인 RDIMM, FBDIMM 등도 저비용으로 제작할 예정이다. 60나노급 공정을 사용해 칩 크기를 줄이고 패키지 크기도 대폭 줄임으로써 고비용이 드는 적층 기법을 사용하는 대신 평면으로 이열씩 배열하는 방식이 가능해졌기 때문이다.
이승호기자 simonlee72@
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