인싸잇=이서호 기자 ｜ SK하이닉스가 인공지능(AI) 메모리 수요 증가에 대응하기 위해 용인과 청주에 들어설 신규 D램·낸드 생산 팹(Fab)에 약 54조 원을 투자하기로 확정했다.

SK하이닉스는 지난 7일 이사회 결의를 통해 용인 반도체 클러스터 2기 팹 ‘Y2’에 35조2000억 원, 청주 낸드 생산기지 ‘M17’에 19조 1000억 원을 각각 투자하기로 결정했다고 밝혔다.

이는 지난 6월 발표한 용인 반도체 클러스터 600조 원, 청주 생산기지 확대 100조 원 규모의 중장기 투자 계획에 따른 후속 조치다. SK하이닉스는 현재 용인 1기 팹인 Y1을 건설 중이며, 이날 결정으로 후속 팹 건설에 본격적으로 착수한다.

용인 Y2는 용인 반도체 클러스터에 들어설 4개 팹 가운데 두 번째 생산시설이다. 연면적 34만 1000평 규모로 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 열 계획이다.

고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 생산 거점으로 구축된다. 투자금은 2031년 10월까지 순차적으로 집행된다. 현재 건설 중인 1기 팹 Y1은 내년 2월 첫 클린룸 가동을 목표로 공사가 진행되고 있다.

SK하이닉스는 당초 오는 2045년으로 예정한 용인 반도체 클러스터 완공 시점도 2033년으로 12년 앞당겼다. 경기도 용인시 처인구 원삼면 일대 약 126만 평 부지에 4개 팹을 구축할 계획이다. Y2 가동까지 필요한 1단계 전력·용수 인프라는 공정률 99%로 마무리 단계에 들어섰다.

청주 M17은 연면적 20만 6000평 규모의 낸드플래시 생산시설로 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 번째 클린룸을 열 예정이다.

투자는 2031년 4월까지 단계적으로 집행한다. 청주에는 기존 낸드 생산 팹인 M11·M12·M15가 있어 부지와 전력, 용수 등 인프라 활용에 효과적이라는 평가를 받고 있다.

SK하이닉스는 기존 팹과 연계해 생산 효율을 높이고 신규 생산능력을 빠르게 확보한다는 방침이다.

SK하이닉스는 팹 건설을 계획대로 진행해 생산 인프라를 먼저 확보하고, 실제 생산능력은 고객 수요에 맞춰 클린룸 증설과 장비 투입을 순차적으로 확대한다는 전략이다.