인싸잇=이서호 기자 | 삼성전자가 차세대 메모리 기술 비전을 공개했다. HBM5 대비 최대 8배 성능을 구현하는 'zHBM'과 차세대 낸드 아키텍처 'zNAND-O'를 업계 최초로 선보이며 AI 인프라 수요에 대응하는 기술 경쟁력을 드러냈다.

삼성전자는 지난 4일부터 6일(현지 시각 기준) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 ‘zHBM’과 ‘zNAND-O’의 실물모형인 목업을 업계 최초로 공개하고 AI 시대를 이끌 메모리 기술 비전을 제시한다고 5일 밝혔다.

행사 첫날에는 이진엽 플래시 개발실 부사장과 김경륜 D램 개발실 상무가 기조연설을 진행했다.

두 연사는 zHBM, zNAND-O 등 차세대 3D 메모리를 기반으로 고성능 컴퓨팅 및 AI 인프라 수요 증가에 대응하고 AI 시스템의 성능과 전력효율을 극대화하기 위한 기술 비전을 제시했다.

zHBM은 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 아키텍처다. 최근 고용량·고대역폭 메모리에 대한 요구 수준이 높아지면서 기존 HBM만으로는 향후 요구되는 수준의 성능을 구현하는 데 한계가 있어 새롭게 개발됐다.

삼성전자는 zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템이 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다고 설명했다. zHBM은 메모리 용량 확장, 가속기 성능 강화 등 제품 특성을 고객이 원하는 설계에 따라 최적화할 수도 있다. 이에 삼성전자는 고객과의 협업을 확대해 나갈 방침이다.

삼성전자는 이 자리에서 업계 최초로 수직 적층 400단 이상의 10세대 V-낸드 ‘V10 BV-NAND를 공개하며 차세대 낸드 기술 경쟁력을 선보였다. 단순히 적층 수를 늘리는 데 그치지 않고 데이터 읽기·쓰기 성능과 데이터가 입출력되는 속도도 전 세대 대비 향상시켰다.

아울러 이번 전시에서 삼성전자는 ▲HBM4E ▲HBM5 ▲LPDDR5X-PIM ▲PM1763 등 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터에 최적화된 차세대 메모리·스토리지 솔루션도 선보였다.

삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 1c D램과 4나노 베이스 다이 기술을 적용한 HBM4를 양산 출하한 데 이어, 5월에는 HBM4E 샘플을 세계 최초로 고객사에 공급하는 등 차세대 HBM 시장을 선도하기 위한 기술 경쟁력을 지속적으로 강화하고 있다.

이번 행사에서는 HBM4E가 적용된 차세대 AI 플랫폼과 웨이퍼를 전시했고 신규 열관리 기술인 HPB를 적용해 높은 대역폭과 용량을 제공하는 HBM5를 목업했다.

LPDDR5X-PIM은 삼성전자가 세계 최초로 개발한 제품이다. 메모리 내부에서 연산을 수행해 데이터 이동을 최적화하고 전력효율을 향상시킨 차세대 메모리 제품이다.

한편, 삼성전자는 차세대 메모리 기술 혁신과 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 차별화된 솔루션을 통해 AI 시대의 반도체 기술 리더십을 강화해 나갈 계획이라고 밝혔다.